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第三代半導體

CVD碳化鉭塗層石墨件

◇化學氣相沉積製程適用範圍廣，既可製備塗層，也可製備晶體。透過對多種氣體原料的流量進行調節，可以在相當大的範圍內控制產物的組分，因此可以製備梯度膜、多層單晶膜，並按要求實現塗層應用，同時能製備其他方法難以得到的優質晶體。

◇CVD製備工藝下膜層多項性能優越。（1）成膜速度快，可同時沉積大批量、成分均一的塗層；（2）由於工作條件是在常壓或低真空條件下進行的，因此鍍膜的繞射性好；（3）薄膜生長的溫度遠低於膜材的熔點，在低溫生長的條件下，反應氣體和反應器壁及其中所含不純物幾乎不會發生反應，能得到高純度、結晶度好的膜層。

◇多項性能特點領先其他工藝。相較於粉末冶金、等離子噴塗、PVD等製程的材料密度低、塗層結合力差、沉積效率低等缺點，CVD製程具有晶粒細、厚度可控、結合強度高不易脫落開裂等優點。

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