分析/評價設備
極薄膜厚高速Mapping椭偏儀
橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，將某種狀態的光照射到薄膜上，測量反射光的變化情況。橢偏儀是一種利用光來測量 薄膜厚度和折射率的設備。可以測量非常薄的薄膜，以納米 (nm) 為單位測量厚度。
它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體研究。
橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。
▮ ME-210-T特點
【特點1】 嘆為觀止的測量速度(毎分約1000點：廣域Mode）可於短時間內取高密度的面分布數據。
【特點2】 微小領域量測 (20μm左右)可簡單鎖定&測量任一微小區域。
【特點3】 可測量透明基板適用於解析玻璃基板上的極薄膜。
▮ SE-101特點
【特點1】體積小、功能性高的點測量設備。
【特點2】價格低且容易結合於其他系統的量測設備。
【特點3】高速量測，允許最長1/70秒間隔的測量，可分析膜厚的時間變化。
【特點4】機器的頭部組件取下之後，可拿來當組件模塊使用。
▮可依客戶需求進行客製全/半自動
▮應用案例：光罩上光阻、晶圓上薄膜
設備原理：
位於CCD正前方的微米偏光陣列片可省略旋轉偏光片的時間，並且可實現幾乎是Real time的極薄薄膜高速掃描
應用案例:晶圓上薄膜
規格：
ME-210-T
再現性(Repeatability):
Film Thickness 0.1 nm refraction: 0.001
※standard deviation value of 100 times measurement on SiO2 (thickness: about 100nm) on Si wafer
最快速度(Max Speed):
Over 1,000 points/min @ Wide range mode Over 10,000 points/min @ High resolution mode
光源(Light Source): 636 nm Laser
光斑大小(Laser Spot Size): □0.5mm under the wide area scan mode □5.5μm under the high accuracy mode
載台尺寸(Stage Size): Max 8 inch（12 inch for option） Machine
Size: 650W x 650D x 1744 H (mm) Weight: About 200kg
規格:
重複再現性： 膜厚0.1 nm；折射率 0.001
※針對Si上的SiO2膜 (膜厚大约100nm)進行單點測試100次的標準偏差
最快測量速度：1000點/分以上
光源： 雷射二極體（波長 636 nm)
测量点范围：
0.5mm（廣域測量模式）
5.5μm角（高精模式)
載台大小： 最大8吋wafer（选配：12吋）
機台大小： 650W x 650D x 1744 H (mm)
機台重量： 約200kg
SE-101
測量速度(Speed):Approx. 0.1sec/point
光斑大小(Laser Spot Size):□0.1mm，
規格:
重複再現性： 膜厚0.1 nm；折射率 0.001
※針對Si上的SiO2膜 (膜厚大约100nm)進行單點測試100次的標準偏差
最快測量速度：0.1秒/測定點
光源： 雷射二極體（波長 636 nm)
测量点范围：□1.0 mm
載台大小： 最大4吋wafer
機台大小： 250 W x 175 D x 218.3 H (mm)
機台重量： 約5.0kg
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